我国半导体制造核心技术突破，氢离子注入地位仅次于光刻

发布日期：2024-09-19 19:14

来源类型：中工网 | 作者：黄瑷瑶

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最近，国家电力投资集团有限公司旗下的（无锡）科技有限公司完成了一个令人振奋的壮举。它们交付了首批经过氢离子注入性能优化的芯片产品，这标志着中国在功率半导体领域又向前迈出了一大步。自2021年成立以来，核力创芯仅用不到三年的时间，就实现了从无到有的技术突破。这家企业的成就，打破了国外垄断，也为我国半导体产业链中最为关键的一环补上了最后的拼图。

在半导体制造中，氢离子注入的地位仅次于光刻。并且氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用，该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展，特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。

对于功率半导体特别是高压芯片，这种技术几乎决定了产品的最终性能。然而，这一关键技术在很长时间里都被国外企业所垄断，导致国内半导体企业在高压芯片领域始终处于受制于人的状态。国电投核力创芯的突破，仿佛一夜之间解开了这道困扰多年的难题，让人禁不住拍手称快。核力创芯的技术突破，打破了国外垄断。

核力创芯的成就不仅仅在于打破技术垄断，它更重要的是在不到三年的时间里，自主研发出100%的国产技术和设备，真正做到了从头到尾的自主可控。在这个过程中，企业还建立了我国首个核技术应用与半导体交叉学科的研发平台，让人看到了核技术在半导体领域的巨大潜力。值得一提的是，这些首批交付的芯片产品历经近万小时的工艺及可靠性测试，最终技术指标达到了国际先进水平，赢得了用户的高度评价。

对于中国半导体行业来说，这不仅是一次技术突破，更是整个产业链条上关键一环的补齐。长久以来，高压功率芯片的核心技术和装备工艺都严重依赖进口，这种依赖性带来的风险和制约，不言而喻。如今，核力创芯的成果无疑为国产替代提供了坚实的基础，进一步增强了我国半导体行业的核心竞争力。

这个时候不禁要问，这样的突破，能否真正改变我们在全球半导体市场上的地位？核力创芯的成功证明了，只要有坚定的决心和强大的科研能力，我们是有可能逐渐摆脱技术受制于人的困境。中国半导体的未来也许将因此而更加光明，谁能说下一个打破技术壁垒的不会是我们？

核力创芯的成功，像是一颗重磅巨石投进了半导体行业的池塘，激起了千层浪。这不仅是一次技术层面的飞跃，更是一次信心的提振。站在新的起点上，中国的半导体企业必将更加勇敢地走向世界。有人说，"路漫漫其修远兮，吾将上下而求索"，在这条充满挑战的道路上，我们已经看到了曙光，也更有理由相信，未来将属于那些敢于创新、勇于突破的企业和国家。

现在，半导体行业的游戏规则或许正在悄然改变。核力创芯的突破无疑是一个强有力的信号。未来的路虽然依然漫长，但只要不惧挑战，奋勇向前，或许就在不久的将来，我们将迎来属于中国半导体的春天。